產(chǎn)地類別	進(jìn)口

光彈調(diào)制器

美國(guó)Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同時(shí)也是世界*的一家）光彈調(diào)制器（photoelastic modulators）生產(chǎn)商。Hinds Instruments公司的PEM可以控制光束的偏振狀態(tài)的改變，調(diào)制速率為20~100kHz。（PEM）的作用就像一個(gè)“動(dòng)態(tài)的波片”，可以使快軸和慢軸之間產(chǎn)生一個(gè)周期變化的折射率差，從而控制透過(guò)光束的偏振進(jìn)行周期性的變化。具體而言即，（photoelastic modulators）通過(guò)對(duì)線偏振光添一定的相位使輸出光在圓偏振、橢圓偏振、線偏振等狀態(tài)之間井進(jìn)行變化，同時(shí)（PEM）還可以使光在左旋、右旋兩種狀態(tài)之間進(jìn)行切換。

對(duì)比聲光調(diào)制器、電光調(diào)制器、液晶調(diào)制器的*之處包括：

? 非常大通光孔徑（15到30mm，標(biāo)準(zhǔn)），同時(shí)保持很高的調(diào)制器頻率

? 超大接受角度（市場(chǎng)角）范圍（+/- 20°）

? 波長(zhǎng)覆蓋范圍大（170nm~10um，F(xiàn)IR~THZ）

? 高損傷閾值

? 可精確控制相位延遲

美國(guó)Hinds Instruments, Inc公司PEM電學(xué)和光學(xué)頭封裝在不同的部件中。這樣能夠zui小化光學(xué)系統(tǒng)單元的尺寸，同樣也使得光學(xué)頭與磁場(chǎng)或真空兼容（當(dāng)這些有需要的時(shí)候）。

需要進(jìn)一步了解關(guān)于原理，請(qǐng)點(diǎn)擊這里

應(yīng)用舉例：

在偏振方向調(diào)制中的應(yīng)用介紹.pdf

Hinds Instruments主要分為兩個(gè)系列：

Series I 系列使用矩形光學(xué)原件，波長(zhǎng)覆蓋紫外、可見光和紅外至1或者2um。

Series II系列使用對(duì)稱或者八角形的光學(xué)原件，波長(zhǎng)覆蓋可見和紅外（到中紅外）頻譜區(qū)域。特殊的型號(hào)可用于紫外。

Hinds Instruments公司的光學(xué)頭使用不同的光學(xué)材料，材料的選取主要取決于儀器頻譜透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。

TABLE 1
SPECTRAL REGION	SERIES	MATERIAL
Vacuum UV, UV	I	Lithium Fluoride
Vacuum UV to mid-IR	I,II	Calcium Fluoride
Vacuum UV to near-IR	I,II	Fused Silica
Mid-visible to mid-IR	II	Zinc Selenide
Near- to mid-IR	II	Silicon

相對(duì)于Series II八角形光學(xué)元件，Series I矩形的光學(xué)元件在相同厚度的情況下，相位延遲量更少。在紅外波段，這是一個(gè)缺點(diǎn)，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，這則變成為了一個(gè)很大優(yōu)點(diǎn)。

八角形（Series II）光學(xué)元件在給定的厚度下更加的有效率，因此在紅外波段有更多的優(yōu)勢(shì)。使用Series II操作低延遲量（例如：深紫外）或許會(huì)造成一些問題。

可選選項(xiàng)（規(guī)格和價(jià)格會(huì)因?yàn)榭蛻粜枰淖儯斍樵儐栮涣抗怆姷墓こ處煟?/span>

? 增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光學(xué)調(diào)制器上，窄帶寬和寬帶寬鍍膜都可得。
? 請(qǐng)昊量光電關(guān)于頻譜范圍和透射率要求
? 無(wú)干涉選項(xiàng)，Model NIO。這一項(xiàng)用于偏轉(zhuǎn)光束路徑，因此消除了調(diào)制器干涉
? 特殊頻率，Model SFO。標(biāo)準(zhǔn)的調(diào)制頭配以特殊頻率
? 特殊光學(xué)頭/電學(xué)頭電纜，Model SLHH
? 特殊調(diào)制頭附件，Model SHE。光學(xué)頭可以根據(jù)客戶需要提供特殊形狀
? 真空操作。PEM可用于真空環(huán)境，詳情請(qǐng)?jiān)儐朒inds
磁場(chǎng)兼容選項(xiàng)，Model MFC。光學(xué)頭不含任何磁鐵材料，用于強(qiáng)磁場(chǎng)中

基本指標(biāo)

Model	Optical Material	Nominal Frequency	Retardation Range		Useful Aperture1
Model	Optical Material	Nominal Frequency	Quarter Wave	Half Wave	Useful Aperture1
I/FS50	Fused Silica	50 kHz	170nm - 2μm	170nm - 1μm	16mm
I/FS20	Fused Silica	20 KHz	170nm - 2μm	170nm - 1μm	22mm
I/CF50	Calcium Fluoride	50 kHz	130nm - 2μm	130nm - 1μm	16mm
II/FS20A	Fused Silica	20 kHz	170nm - 2μm	170nm - 1μm	56mm
II/FS20B	Fused Silica	20 kHz	1.6μm - 2.6μm	800nm - 2.5μm	56mm
II/FS42A	Fused Silica	42 kHz	170nm - 2μm	170nm - 1μm	27mm
II/FS42B	Fused Silica	42 kHz	1.6μm - 2.6μm	800nm - 2.5μm	27mm
II/FS47A	Fused Silica	47 kHz	170nm - 2μm	170nm - 1μm	24mm
II/FS47B	Fused Silica	47 kHz	1.6μm - 2.6μm	800nm - 2.5μm	24mm
II/FS84	Fused Silica	84 kHz	800nm - 2.5μm	400nm - 2.5μm	13mm
II/IS42B	Fused Silica	42 kHz	1.6μm - 3.5μm	800nm - 2.5μm	27mm
II/IS84	Fused Silica	84 kHz	800nm - 3.5μm	400nm - 1.8μm	27mm
II/CF57	Calcium Fluoride	57 kHz	2μm - 8.5μm	1μm - 5.5μm	23mm
II/ZS37	Zinc Selenide	37 kHz	2μm - 18μm	1μm - 9μm	19mm
II/ZS50	Zinc Selenide	50 kHz	2μm - 18μm	1μm - 10μm	14mm
II/SI40	Silicon	40 kHz	FIR - THz	FIR - THz	36mm
II/SI50	Silicon	50 KHz	FIR - THz	FIR - THz	29mm

美國(guó)Hinds Instruments, Inc公司相關(guān)文獻(xiàn)請(qǐng)參考：http://www.auniontech。。ｃｏｍ/n/document/v_Paper_of_Hinds.html

光彈調(diào)制式反射差分光譜儀的理論分析.pdf

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應(yīng)用的Mueller矩陣分析.pdf

式多通道反射差分光譜技術(shù).pdf

定標(biāo)新方法.pdf

光彈調(diào)制差分反射分析系統(tǒng)的建立與應(yīng)用.pdf

使用測(cè)量D-丙氨酸單晶低溫變溫光學(xué)性質(zhì)的研究.pdf

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